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Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

发布时间:2019-05-15 10:14 来源:未知 编辑:admin

  什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。

  闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。

  与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层),但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。

  场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

  数据就存放在floating gate(悬浮门)之中,一个门可以存放1bit数据

  这是一个闪存颗粒的内部结构,每一行是其中一个page,一个page由33792个刚才那样的门组成。

  wordline是字线,由其控制读取和写入,所以page是最小的读写单位 而这个block是最小的擦除单位。

  我们知道闪存颗粒分为SLC MLC TLC 这就是因为对电压的分级不同。

  円星科技将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发SRAM Compiler IP

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